??灰化設(shè)備是用于去除半導(dǎo)體制造等工序中使用的光刻膠的設(shè)備。灰化就是變成灰燼，顧名思義，就是將光刻膠和其他材料變成灰燼，然后使用等離子或臭氧將其去除。

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在半導(dǎo)體制造中，光刻膠是一種保護(hù)膜，涂在硅晶片的表面，然后在特定區(qū)域曝光以產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)。一旦它完成了工作，就可以被移除。

在半導(dǎo)體制造中，灰化設(shè)備用于對(duì)硅片進(jìn)行處理，因此它是一種能夠運(yùn)送硅片的大型設(shè)備。

灰化設(shè)備的應(yīng)用

灰化設(shè)備用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中剝離離子注入物、去除光刻膠等聚合物以及在制造 CCD 時(shí)去除彩色濾光片。

灰化方法有兩種：等離子灰化，利用等離子體進(jìn)行灰化；臭氧灰化，利用臭氧與碳?xì)浠衔锇l(fā)生反應(yīng)進(jìn)行灰化。目前主要的方法是等離子灰化，通過(guò)產(chǎn)生等離子體來(lái)增加氧的反應(yīng)性，從而增強(qiáng)灰化效果。

灰化裝置原理

等離子體是一種電離氣體，具有高度反應(yīng)性。當(dāng)氧氣被制成等離子體時(shí)，它會(huì)與碳和氫發(fā)生非常好的反應(yīng)，因此如果將碳?xì)浠衔锞酆衔铮ɡ缢芰希┓湃胙醯入x子體中，它會(huì)眨眼間消失。

純碳?xì)浠衔飪H由碳和氫組成，因此與氧氣發(fā)生反應(yīng)后會(huì)釋放出水和二氧化碳，反應(yīng)后不會(huì)留下任何殘留物。半導(dǎo)體制造中使用的光刻膠由碳?xì)渚酆衔镏瞥桑渲泻刑砑觿?、溶劑和光敏劑，因此在?duì)其進(jìn)行灰化時(shí)，需要根據(jù)光刻膠定制最佳的等離子體條件。

在臭氧灰化過(guò)程中，氧分子不是通過(guò)將氧分子轉(zhuǎn)化為等離子體來(lái)激活，而是從氧分子中產(chǎn)生高活性臭氧并將其引入反應(yīng)室。在此過(guò)程中，使用紫外線從臭氧中產(chǎn)生高活性的原子氧（稱(chēng)為氧自由基），然后氧自由基與光刻膠發(fā)生反應(yīng)。

氧等離子體與氧自由基的區(qū)別在于：氧等離子體中，一定比例的氧原子是正離子，而氧自由基則呈電中性，因此氧等離子體的反應(yīng)性更強(qiáng)。

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